FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
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FET 特点 | 标准型 |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 7.5 毫欧 @ 7A, 10V |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 14A |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2.5V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 12nC @ 5V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 1200pF @ 10V |
功率 - 最大 | 2W |
安装类型 | 表面贴装 |
UPA800T-A
射频双极小信号晶体管 NPN Silicn AMP Oscilltr Twn Trnst
UPA800T-T1
射频双极小信号晶体管 DISC BY CEL 2/02 SO-6 NPN HI-FREQ
UPA800T-T1-A
射频双极小信号晶体管 NPN Silicn AMP Oscilltr Twn Trnst
UPA2770GR(0)-E1-AY
TRANSISTOR
UPA2766T1A-E2-AY
MOSFET N-CH 30V 130A 8HVSON
UPA2766T1A-E1-AY
MOSFET N-CH 30V 130A 8HVSON