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SI3434DV-T1-E3

品牌:
  Vishay/Siliconix
封装:
 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
数量:
 更新中..  
描述:
 MOSFET 30V 6.1A
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SI3434DV-T1-E3-SOT-23-6 细型,TSOT-23-6封装图片

SI3434DV-T1-E3参数资料

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制造商Vishay
产品种类MOSFET
RoHS
晶体管极性N-Channel
汲极/源极击穿电压30 V
闸/源击穿电压+/- 12 V
漏极连续电流6.1 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.034 Ohms
配置Single
最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT
封装形式TSOP-6
包装形式Reel
下降时间30 ns
正向跨导 gFS(最大值/最小值) 20 S
最小工作温度- 55 C
功率耗散2 W
上升时间45 ns
工厂包装数量3000
商标名TrenchFET
典型关闭延迟时间40 ns
零件号别名SI3434DV-E3

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