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QS6J11TR

品牌:
  Rohm Semiconductor
封装:
 TSMT6(SC-95)
数量:
 5,781  
描述:
 MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
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QS6J11TR参数资料

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FET 型2 个 P 沟道(双)
FET 特点逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C105 毫欧 @ 2A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss)12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2A
Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs6.5nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 770pF @ 6V
功率 - 最大900mW
安装类型表面贴装

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