FET 型 | 2 个 P 沟道(双) |
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FET 特点 | 逻辑电平门 |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 105 毫欧 @ 2A, 4.5V |
漏极至源极电压(Vdss) | 12V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2A |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 6.5nC @ 4.5V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 770pF @ 6V |
功率 - 最大 | 900mW |
安装类型 | 表面贴装 |
QS6J1TR
MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6
QS6J3TR
MOSFET 2P-CH 20V 1.5A
QS6K1TR
MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
QS6810AQF
QS6612LF
QS6612