| 制造商 | ON Semiconductor |
|---|---|
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 汲极/源极击穿电压 | 40 V |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 85 A |
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 5.7 mOhms |
| 配置 | Single |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装形式 | DPAK |
| 包装形式 | Reel |
| 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 13.6 S |
| 栅极电荷 Qg | 51 nC |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 83 W |
NVD5805NT4G
MOSFET N-CH 40V 51A DPAK
NVD5806NT4G
MOSFET POWER MOSFET 40V
NVD5807NT4G
MOSFET POWER MOSFET
NVD5802NT4G-VF01
MOSFET N-CH 40V 16.4A/101A DPAK
NVD5802NT4G-TB01
MOSFET N-CH 40V 16.4A/101A DPAK
NVD5802NT4G
MOSFET DPAK 3W SMT PBF
