| FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 300 毫欧 @ 1.9A, 10V |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1.9A |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 410pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 1.8W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
BSP19,115
两极晶体管 - BJT TRANS HV TAPE-7
BSP19AT1
两极晶体管 - BJT 1A 400V NPN
BSP19AT1G
两极晶体管 - BJT 1A 400V NPN
BSP170PE6327
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
BSP170P L6327
MOSFET SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR
BSP170P
