制造商 | Diodes Inc. |
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产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
RoHS | 是 |
配置 | Single |
晶体管极性 | NPN |
集电极—基极电压 VCBO | 120 V |
集电极—发射极最大电压 VCEO | 100 V |
发射极 - 基极电压 VEBO | 5 V |
集电极—射极饱和电压 | 100 V |
最大直流电集电极电流 | 2 A |
增益带宽产品fT | 175 MHz |
直流集电极/Base Gain hfe Min | 70 at 50 mA at 2 V, 100 at 500 mA at 2 V, 55 at 1 A at 2 V, 25 at 2 A at 2 V |
最大工作温度 | + 150 C |
安装风格 | SMD/SMT |
封装形式 | SOT-223 |
集电极连续电流 | 2 A |
直流电流增益 hFE 最大值 | 70 |
最大功率耗散 | 2 W |
最小工作温度 | - 55 C |
包装形式 | Reel |
工厂包装数量 | 1000 |
FZT653TA/FZT653
FZT653TC
两极晶体管 - BJT NPN Medium Power
FZT655
FZT653QTA
PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T
FZT653
FZT651TC
两极晶体管 - BJT NPN Medium Power