制造商 | ROHM Semiconductor |
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RoHS | 是 |
汲极/源极击穿电压 | - 20 V |
漏极连续电流 | 200 mA |
安装风格 | SMD/SMT |
封装形式 | EMT-6 |
包装形式 | Reel |
栅极电荷 Qg | 1.4 nC |
功率耗散 | 150 mW |
EM6K1T2R
MOSFET 2N-CH 30V .1A
EM6K6T2R
MOSFET Small Signal Dual N-CH 20V .3A .15W
EM6K7T2R
MOSFET TRNSISTR DUAL MOSFET
EM6J1T2CR
MOSFET 2P-CH 20V EMT6
EM6HF16EBXB-12SH
8GB (512MX16) DDR3. 96-BALL WIND
EM6HE16EWXD-10IH
IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA